混合键合，集体延期了
2026.02.05
广东吉洋视觉专注AOI视觉检测设备 （半导体晶圆AOI；半导体国产AOI；半导体行业国产AOI；半导体SMT AOI；半导体贴片AOI）
三星电子和SK海力士已宣布第六代高带宽存储器（HBM4）量产，但据报道，他们已推迟引入混合键合机，该键合机原本预计会部分用于HBM4的生产。三星电子和SK海力士计划使用现有公司（例如Semes和韩美半导体）提供的TC键合机进行HBM4的量产。即使是最初预计采用混合键合机的16层HBM4产品，也可能使用TC键合机来实现。
据业内人士3日透露，三星电子和SK海力士计划通过调整HBM4的堆叠高度，继续沿用现有的微凸点（细凸点）DRAM堆叠方式。凸点指的是导电凸起，例如引线。这意味着他们将通过缩小凸点间距，在下一代产品中继续采用基于微凸点的堆叠技术。不过，三星电子计划在HBM4E（第七代HBM）阶段，即HBM4之后的下一代产品中，部分采用混合键合技术。
尽管混合键合机的研究和测试仍在进行中，但距离大规模生产仍需时日。混合键合机被誉为下一代HBM市场的“颠覆性技术”。目前HBM制造中使用的TC键合机通过对凸点施加热量和压力来堆叠芯片。相比之下，混合键合机无需单独的凸点即可连接芯片，使其成为制造20层或更高层数堆叠芯片的必备设备。由于芯片之间没有凸点，它可以最大限度地减少电信号损耗，从而提高半导体性能。
业界强调，引入混合键合机对于提升下一代HBM的性能目标至关重要。HBM4的通道数比上一代翻了一番，接口宽度也随之增加，每引脚（信号线）的信号传输速度也得到了提升。正因如此，无需凸点即可贴装HBM的混合键合机备受关注。
然而，由于混合键合机尚未实现大规模生产和良率，三星电子和SK海力士目前选择最大限度地发挥热连接键合机的性能。关于间距缩放（缩小凸点和焊盘间距）这一最大的难题，众所周知，HBM4的设计目标是将微凸点间距缩小到约10微米（μm）。据解释，这种设计仍然可以达到HBM4的目标性能。此前，NVIDIA要求这两家公司将HBM4的性能提升至每引脚11.7 Gb/s。
市场研究公司 CTT Research 解释说：“去年 8 月，北美客户美光计划推出一款无需助焊剂的‘无助焊剂键合机’，但已将其推迟到 2028 年。”该公司补充道：“这是因为现有的热电偶键合机可以满足国际半导体标准组织 (JEDEC) 要求的规范，而无助焊剂键合机和混合键合机的价格是其两倍多，且良率低于 50%。”
三星电子在上个月的第四季度财报电话会议上表示：“我们已向客户寄送了采用混合键合技术的HBM4样品，预计HBM4E将逐步实现商业化。”然而，三星内外的消息人士均指出，即使在主流的HBM4E产品中，热电偶键合机仍将发挥核心作用。一位熟悉三星的消息人士解释说：“虽然混合键合技术可以应用于一些需要它的高端产品线，但其稳定性尚不及热电偶键合机，无法用于大规模生产。”他还补充道：“在价格和良率方面，混合键合技术仍有改进空间。”
郑重声明：
1、部分内容来源于网络，本文版权归原作者所有，转载文章仅为传播更多信息之目的。
2、本文仅供学术交流，非商用。如果某部分不小心侵犯了大家的利益，请联系删除。
