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Micro LED 短期道阻,长远可期

文章出处:公司动态 责任编辑:广东吉洋视觉技术有限公司 发表时间:2022-04-07
  

广东吉洋视觉专注AOI视觉检测设备 ( MINI LED固晶焊线检测AOI; 深度学习算法AOI; MIcro LED 晶圆AOI检测;​ 芯片检测AOI; 上下同拍AOI )


       Micro LED凭借高亮度、高分辨率、高对比度、轻薄化、小型化、低功耗、设计灵活等特点,已被公认为AR/VR显示器的最佳方案之一,但Micro LED真正商业化之路还很有难关要过。具体来看,Micro LED目前面临“三座大山”:芯片效率、巨量转移、全彩化。而芯片效率问题、巨量转移制程会对Micro LED显示器的全彩化产生直接影响。
       ​首先,芯片效率会随着Micro LED芯片尺寸的微缩而降低,尤其是红光芯片。当芯片尺寸小于20μm以下时,EQE显著下降,而红光芯片效率与蓝绿光芯片效率之差可达5倍以上。即便有业者提出采用BGRR的方案来进行补光,但更多的LED数量意味着转移次数增加,将导致成本居高不下,因此产品竞争力并不理想。
       ​再者,巨量转移技术方法虽有多种,但据LEDinside了解,由于AR/VR微显示器芯片尺寸微小,转移难度高,所以现阶段巨量转移方式以Wafer Bonding(晶圆键合)、Chip Bonding(芯片键合)或Laser Transfer(激光雷射转移)为主。
       ​据悉,多数厂商采用Wafer Bonding、Chip Bonding方案,也就是将晶圆或芯片与CMOS背板结合的制程,但目前仅能实现单一颜色,全彩化制程面临较大挑战,而激光雷射转移技术可以解决这个问题,实现微显示器的全彩化规格,目前K&S、Coherent等正在积极研发,但此方案尚未进入大量生产阶段,且设备非常昂贵,而这也成为Micro LED微显示器商业化的一大阻碍。
       ​这一年来全球Micro LED厂商在红光芯片效率、巨量转移和全彩化问题上取得了较为显著的成果,在一定程度上点燃了企业、投资者和消费者对Micro LED的信心。
       ​此外,LED芯片厂商也在积极为攻克难题而出谋划策,其中,对于芯片效率低下的问题,需改进方法包括采用新型的LED芯片结构设计及改进工艺流程等,进而减少侧壁效应,提升EQE。
       ​总的来说,Micro LED在亮度、对比度和分辨率等方面有着天然的优势,产业链也在逐步完善中。虽然Micro LED短期内无法真正大规模商用化,但在众多力量的推动下,技术瓶颈问题和成本问题将逐步取得突破,长远可期。

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